Was (wer) ist Фотоэлектронная эмиссия - definition

внешний фотоэффект, испускание электронов твёрдыми телами и жидкостями под действием электромагнитного излучения (фотонов) в вакуум или др. среды. Практическое значение в большинстве случаев имеет Ф. э. из твёрдых тел (металлов, полупроводников, диэлектриков) в вакуум. Основные закономерности Ф. э. состоят в следующем: 1) количество испускаемых электронов пропорционально интенсивности излучения; 2) для каждого вещества при определенном состоянии его поверхности и температуре Т → 0 К существует порог - минимальная частота ω₀ (или максимальная длина волны λ₀) излучения, за которой Ф. э. не возникает; 3) максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов линейно возрастает с частотой излучения и не зависит от его интенсивности.

Ф. э. - результат 3 последовательных процессов: поглощения фотона и появления электрона с высокой (по сравнению со средней) энергией; движения этого электрона к поверхности, при котором часть энергии может рассеяться; выхода электрона в др. среду через поверхность раздела. Количественной характеристикой Ф. э. является квантовый выход Y - число вылетевших электронов, приходящееся на 1 фотон излучения, падающего на поверхность тела. Величина Y зависит от свойств тела, состояния его поверхности и энергии фотонов.

Ф. э. из металлов возникает, если энергия фотона ηω(η - Планка постоянная, ω - частота излучения) превышает работу выхода (См. Работа выхода) металла еφ. Последняя для чистых поверхностей металлов > 2 эв (а для большинства из них > 3 эв), поэтому Ф. э. из металлов (если работа выхода не снижена специальным покрытием поверхности) может наблюдаться в видимой и ультрафиолетовой (для щелочных металлов и бария) или только в ультрафиолетовой (для всех др. металлов) областях спектра. Вблизи порога Ф. э. для большинства металлов Y Фотоэлектронная эмиссия 10^-4 электрон/фотон. Малая величина Y обусловлена тем, что поверхности металлов сильно отражают видимое и ближнее ультрафиолетовое излучение (коэффициент отражения R > 90\%), так что в металл проникает лишь малая доля падающего на него излучения. Кроме того, фотоэлектроны при движении к поверхности сильно взаимодействуют с электронами проводимости, которых в металле много (Фотоэлектронная эмиссия 10²² см^-3), и быстро рассеивают энергию, полученную от излучения. Энергию, достаточную для совершения работы выхода, сохраняют только те фотоэлектроны, которые образовались вблизи поверхности на глубине, не превышающей несколько нм (рис., а). Менее "энергичные" фотоэлектроны могут пройти без потерь энергии в десятки раз больший путь в металле, но их энергия недостаточна для преодоления поверхностного потенциального барьера и выхода в вакуум.

С увеличением энергии ηωфотонов Y металлов возрастает сначала медленно. При ηω = 12 эв Y чистых металлических плёнок (полученных испарением металла в высоком вакууме) составляет для Al 0,04, для Bi - 0,015 электрон/фотон. При ηω > 15 эв R резко падает (до 5\%), a Y увеличивается и у некоторых металлов (Pt, W, Sn, Ta, In, Be, Bi) достигает 0,1-0,2 электрон/фотон. Случайные загрязнения могут сильно снизить φ, вследствие чего порог Ф. э. сдвигается в сторону более длинных волн, и Y в этой области может сильно возрасти. Резкого увеличения Y и сдвига порога Ф. э. металлов в видимую область спектра достигают, покрывая чистую поверхность металла моноатомным слоем электроположительных (см. Ионизация) атомов или молекул (Cs, Rb, Cs₂O), образующих на поверхности дипольный электрический слой. Например, слой Cs снижает (и соответственно сдвигает порог Ф. э.: для W - от 5,05 до 1,7 эв, для Ag - от 4,62 до 1,65 эв, для Cu - от 4,52 до 1,55 эв, для Ni - от 4,74 до 1,42 эв.

Ф. э. из полупроводников и диэлектриков. В полупроводниках (См. Полупроводники) и диэлектриках (См. Диэлектрики) сильное поглощение электромагнитного излучения начинается от энергий фотонов ηω, равных ширине запрещенной зоны ΔE (для прямых оптических переходов). При ηω ≈ ΔE Поглощения показатель К ≈ 10⁴ см^-1 и с увеличением (возрастает до 10⁵ см^-1. Порог Ф. э. , где χ - Сродство к электрону, т. е. высота потенциального барьера для электронов проводимости (рис., б). В несильно легированных полупроводниках электронов проводимости мало, поэтому здесь, в отличие от металлов, рассеяние энергии фотоэлектронов на электронах проводимости роли не играет. В этих материалах фотоэлектрон теряет энергию при взаимодействии с электронами валентной зоны (ударная ионизация) или с тепловыми колебаниями кристаллической решётки (См. Колебания кристаллической решётки) (рождение Фононов). Скорость рассеяния энергии и глубина, из которой фотоэлектроны могут выйти в вакуум, зависят от величины χ и от соотношения χ и ΔE. Если χ > 2 ΔE, то фотоэлектрон с начальной кинетической энергией ≥ χ рождает электронно-дырочную пару. Длина пробега на рассеяние энергии в таком акте (1-2 нм) во много раз меньше глубины проникновения излучения в кристалл (0,1-1 мкм). Т. о., в этом случае подавляющая часть фотоэлектронов по пути к поверхности теряет энергию и не выходит в вакуум. Такая картина имеет место в Si (ΔE = 1,1 эв, χ = 4,05 эв); в Ge (ΔE = 0,7 эв, χ = 4,2 эе); в GaAs (ΔE = 1,4 эв, χ = 4,07 эв) и др. полупроводниках. В этих материалах вблизи порога Ф. э. Y Фотоэлектронная эмиссия 10 ^-6 электрон/фотон и даже на относительно большом расстоянии от порога (при ηω = ηω + 1 эв) всё ещё не превышает 10^-4 электрон/фотон. Если χ < ΔE, но больше энергии оптического фонона (10^-2 эв), то фотоэлектроны теряют энергию при рождении оптических фононов. При таком механизме потерь энергия фотоэлектронов рассеивается в полупроводниках на длине пробега всего 10-30 нм. Поэтому, если снизить (полупроводника, например от 4 до 1 эв, Ф. э. вблизи порога остаётся малой. В кристаллах щёлочно-галоидных соединений длина пробега больше 50-100 нм, ηωневелико, поэтому Y таких кристаллов резко возрастает от самого порога Ф. э. и достигает высоких значений. Так, в CsJ ΔE = 6,4 эв, χ = 0,1 эв и уже при ηω = 7 эв (т. е. всего на 0,6 эв от порога), Y = 0,1 электрон/фотон и практически не изменяется при увеличении ηω.

Применение. Из-за больших ΔE порог Ф. э. для щёлочно-галоидных кристаллов лежит в ультрафиолетовой области спектра, для которой они (в виде тонкой плёнки на проводящей подложке) являются хорошими Фотокатодами. Для большинства технических применений важны также материалы, обладающие высоким Y для видимого и ближнего инфракрасного излучений при малых ΔE и χ. Наиболее распространены (и технически хорошо освоены) в качестве фотокатодов Полупроводниковые материалы на основе элементов I и V групп периодической системы элементов, часто в сочетании с кислородом (Cs₃Sb, Na₂KSb и др.). У них ΔE < 2 эв, χ < 2 эв и Y в видимой области спектра достигает величины Фотоэлектронная эмиссия 0,1 электрон/фотон.

Усовершенствование техники очистки поверхностей полупроводников в сверхвысоком вакууме (См. Сверхвысокий вакуум) позволило резко снизить ηωполупроводников типа A^III B^V и Si р-типа до величины ηω < ΔE с одновременным созданием в тонком приповерхностном слое полупроводника сильного внутреннего электрического поля, ускоряющего фотоэлектроны. При этом работа выхода ηω < ΔE, а высота поверхностного потенциального барьера (ниже уровня дна зоны проводимости в объёме кристалла. В результате обеспечивается выход в вакуум значительного числа термализованных (имеющих тепловые энергии) электронов из большой глубины порядка диффузионной длины неосновных носителей заряда (Фотоэлектронная эмиссия 10^-4 см). Фотокатоды такого типа называются фотокатодами с отрицательным электронным сродством (рис., б). Они обладают самым высоким квантовым выходом в ближней инфракрасной области спектра, достигающим 0,09 электрон/фотон при λ = 1,06 мкм.

Ф. э. широко используется для исследования энергетической структуры веществ, для химического анализа (Фотоэлектронная спектроскопия), в измерительной аппаратуре, в звуковоспроизводящей киноаппаратуре и в приборах автоматики (Фотоэлементы, фотоэлектронные умножители (См. Фотоэлектронный умножитель)), в передающих телевизионных трубках (Супериконоскоп, Суперортикон), в инфракрасной технике (Электроннооптический преобразователь) и в др. приборах, предназначенных для регистрации излучений рентгеновского, ультрафиолетового, видимого и ближнего инфракрасного диапазонов длин волн.

Лит.: Соболева Н. А., Фотоэлектронные приборы, М., 1965; Соммер А., Фотоэмиссионные материалы, пер. с англ., М., 1973; Соболева Н. А., Новый класс электронных эмиттеров, "Успехи физических наук", 1973, т. Ill, в. 2, с. 331-53: Ненакаливаемые катоды, М., 1974.

Г. М. Лифшиц.

Энергетические схемы фотоэлектронной эмиссии из металла (а); полупроводника

с χ > 2ΔE (б); полупроводника с поверхностью, обработанной до "отрицательного" электронного сродства (eφ < ΔE) (в). В области сильного внутреннего электрического поля энергетические зоны изогнуты; клеточки показывают заполненные электронные состояния; жирная черта - дно зоны проводимости; φ - поверхностный потенциальный барьер.

метод изучения строения вещества, основанный на измерении энергетических спектров электронов, вылетающих при фотоэлектронной эмиссии. Согласно закону Эйнштейна, сумма энергии связи вылетающего электрона (работы выхода (См. Работа выхода)) и его кинетическая энергии равна энергии падающего фотона hν (h - Планка постоянная, ν - частота падающего излучения). По спектру электронов можно определить энергии связи электронов и их уровни энергии в исследуемом веществе.

В Ф. с. применяются монохроматическое рентгеновское или ультрафиолетовое излучения с энергией фотонов от десятков тысяч до десятков эв (что соответствует длинам волн излучения от десятых долей Å до сотен Å). Спектр фотоэлектронов исследуют при помощи электронных спектрометров высокого разрешения (достигнуто разрешение до десятых долей эв в рентгеновской области и до сотых долей эв в ультрафиолетовой области).

Метод Ф. с. применим к веществу в газообразном, жидком и твёрдом состояниях и позволяет исследовать как внешние, так и внутренние электронные оболочки атомов и молекул, уровни энергии электронов в твёрдом теле (в частности, распределение электронов в зоне проводимости). Для молекул энергии связи электронов во внутренних оболочках образующих их атомов зависят от типа химической связи (химические сдвиги), поэтому Ф. с. успешно применяется в аналитической химии для определения состава вещества и в физической химии для исследования химической связи. В химии метод Ф. с. известен под название ЭСХА - электронная спектроскопия для химического анализа (ESCA - electronic spectroscopy for chemical analysis).

Лит.: Вилесов Ф. И., Курбатов Б. Л., Теренин А. Н., "Докл. АН СССР", 1961, т. 138, с. 1329-32; Электронная спектроскопия, пер. с англ., М., 1971.

М. А. Ельяшевич.